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[讨论] 最新内置电源SD6602D/SD6604D士兰微方案

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发表于 2016-5-24 20:03:11 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国广东中山

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低成本  DIP封装  散热好  
D6604D   18-24瓦   输出280MA 电流方案  单电压  Q Q 2892715427
( J8 B" X" n. |" ~  M
  SD660X 系列 IC 是一款高精度、低成本的原边反馈 LED 恒流驱动芯片,此芯片采用特有的恒流控制技术,不需要 光隔离器、次级反馈控制、环路补偿及变压器辅助绕组等,降低系统成本和体积,具有非常高的稳定性和平均效率。
    此芯片工作于断续模式,通过峰值电流采样电阻设定输出电流。  

! ]1 j6 u, y8 W: F
SD660X 为内置650V 高压 MOS 管,适用于输出 功率 15W 以下,其中SD6601S,输出功率为 1-5W,SOP-7 封装

& e# D3 r2 n/ M  T0 N! I; V9 ~
PCB 布线     
1).尽量减小功率环路的面积,减少 EMI 辐射;  
  2).尽量加大 IC 的DRAIN  引脚覆铜面积,用于增加芯片散热面积;但DRAIN 太大也会影响 EMI 辐射,请做的适当 考虑;  
  3).尽量将VCC 的旁路电容靠近芯片引脚;  
  4).尽量减小采样电阻的地线与功率地的长度;

! H/ S- ~* a8 d9 o5 `; h. X" B
- d( c$ v9 R' P9 i- ]
    典型的选择如输入电容范围为90Vac-264Vac,输入电容大小为2~3uF/W。
/ e% r0 l) D) E2 t& l6 d
整机效率偏低的问题  
; C! D8 Y8 C) H! d$ s
   1).变压器设计不合理,比如线径太细、匝数太多、漏感偏大等等因素;

9 P* p0 A+ T" j) `
   2).整机系统工作频率太高,导致开关损耗增加;
+ h3 S/ B- T+ X( K! q  |* C
   3).启动电阻太小,造成高压输入时,损耗加大;

) g" W) L4 b. g) g1 B0 U
   4).输出整流二极管的选择不当,也会造成效率偏低;
1 v- d7 c/ I5 T  W1 ^3 Y' V/ p: T

" _2 p2 G! Q2 q
   5).输出滤波电容选择不当,会造成输出损耗偏大,而引起效率偏低

" x9 t3 a5 X; q7 y* {: j
5.png 22.png
& H6 K" \6 p9 s0 A3 E, n& m

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 楼主| 发表于 2016-5-24 20:08:46 | 显示全部楼层 来自: 中国广东中山
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低成本  DIP封装  散热好  
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SD660X应用说明书_0.1.pdf

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