|
|
发表于 2009-9-24 09:14:36
|
显示全部楼层
来自： 中国上海
现代材料计算与设计教程
5 O5 u2 r3 K/ M6 u目 录, j) {4 o* f+ c& X
第1章 计算机与材料设计! _! h1 L0 }) u: f
1.1 计算机与数值计算方法的进展
8 B u& u2 s$ @; Z0 \# [1.2 材料计算与设计在新材料研究开发中的作用6 e6 y& P9 P' f3 {* h1 A f9 P
1.3 计算机与分子、原子设计! ?: B$ s% T& T0 \* d! f6 h
1.4 材料设计与虚拟技术( d2 o" I+ C1 Y5 C3 W x1 @
第2章 材料计算的物理基础
9 b$ S& o, l2 U" g8 F2 d/ _2.1 氢分子的结合能- ^* n* x+ u4 ]4 @1 M" g
2.2 物质的能带结构* Y$ J' l9 B$ V$ A# N* I
2.3 四面体法与态密度3 h- u& X; O3 `% [& j) O! B- I
2.4 密度泛函概要
. s x* p9 Y! m& f 2.4.1 局域密度近似(LDA)7 {' V& w2 `$ m, ]4 m8 u8 K
2.4.2 局域自旋密度近似(LSDA)' X" j2 y- h! N& ]0 g8 ? }& m& X
2.4.3 局域密度近似方法的局限与改进 j+ E7 i& L' ~/ S' z4 \
2.5 凝胶模型与金属的功函数
$ o( D$ ]( g2 I, J- Z2.6 原子嵌入法(EAM)
F' `6 E& q) Y# j/ l2 f+ B3 f2.7 能带计算初步0 g# Z) l3 X8 b6 b+ x$ ^: p
附录A
! d- T, s1 G' Y0 Y$ [5 u/ [) g附录B
) `/ x8 a) i' H7 C第3章 计算机模拟基础
1 q+ |2 |8 ]6 r/ Z3.1 计算机模拟的意义: \1 b2 S! h, Q5 h; F
3.2 分子动力学方法的基本思想
% K6 e# v% d- W* R1 y 3.2.1 经典分子动力学方法" U7 A! U. F: P5 I
3.2.2 恒温方法
0 ^5 T- ^" K7 [ 3.2.3 恒压方法
) i! Z) w& e4 z+ S4 w 3.2.4 ParrinelloRahman方法
; R/ P6 }' B4 V4 l 3.2.5 CarParrinello方法
- D2 a N: S6 e( g' G3.3 表面原子结构6 s5 X7 f; s6 ]8 D
3.4 固体的原子扩散5 k# F+ L5 c9 |! h! y8 E
3.5 晶体生长模拟
$ t' \) ^4 Y; ]' J3.6 HellmannFeyhman力的计算! M/ T( E0 I: g
附录
4 a$ s4 H* G$ ^/ s第4章 蒙特卡罗方法5 L# h% R; T+ K# d' i) F( J- b
4.1 引言
* y4 Y4 a' Y7 k' I: C! W- ~! L4.2 蒙特卡罗方法基础; J4 m2 t; k b3 ]( D, Q
4.2.1 随机过程
2 g7 g, H- ?% J1 q 4.2.2 马尔科夫(Markov)过程& h/ j: Q" {% O0 \3 X# y. j8 o# M
4.2.3 各态历经(Ergodic)问题0 _( L9 i7 P* x# j$ b. ]5 S
4.3 蒙特卡罗模拟算法
& H3 y- a8 Q6 l. W' r$ H% s7 i 4.3.1 随机数的产生
5 E- {1 v2 ?3 W; |' t 4.3.2 随机变量的简单抽样. X% ~! w- K4 b$ h
4.3.3 重要抽样法" m3 w! I* `9 ?( |8 X
4.3.4 弛豫过程的计算
% @% O4 }7 R' g4.4 应用举例
+ X5 O% [; o8 {& f- q 4.4.1 经典粒子系统
1 X! s+ M0 _1 @) B 4.4.2 逾渗问题5 v% R* M: p1 v
4.4.3 高分子体系
. B, H; o; r3 {4 V4 h 4.4.4 经典自旋系
x) l* i8 I8 e$ W' r 4.4.5 量子蒙特卡罗方法' x/ I* x4 b/ v2 I& k( u F
4.4.6 核的形成
+ K4 v6 B- ?% B; X 4.4.7 晶体生长
5 A8 P1 S2 J9 t: h) h$ D 4.4.8 分形体系(Fractal System); D+ X' \/ v* ?% L
第5章 经典分子动力学方法) W6 A- ]0 v- N4 K: \! H! T9 C
5.1 引言
8 e8 C5 p# J' K8 a; H" P5.2 分子动力学方法计算初步8 _$ P" r8 |# z+ F. i G9 A! l
5.2.1 分子动力学方法主要技术概要0 b5 K+ x( K1 |3 Q% j- S1 E2 E
5.2.2 质点系的基本方程(NTP系综): u& w' M( q4 E% F1 C4 v8 f l
5.2.3 质点系的基本方程(μVT系综)
8 p" M4 M* W2 y {" t4 x 5.2.4 约束系的基本方程(NEV系综)* j5 X& s, ~+ e( k9 Q& g# c7 A' ~
5.2.5 边界条件问题
$ t" u# a* x' m 5.2.6 力的计算方法" D8 B1 v0 |3 c! U
5.2.7 数值积分方法介绍
8 _3 p" X. p* U- O( U i; o 5.2.8 模拟结果的分析方法
: }! L9 L. R- V- j6 b, c; B5.3 物质的势函数6 p! Q" R5 }9 k4 g- c5 f
5.3.1 势函数的分类
# q, i: }$ S3 M$ K/ z4 w 5.3.2 对势6 Q0 f( Q( f/ q' ]
5.3.3 对势函数中各参数的确定方法
5 ]' A C% d$ ?7 Z 5.3.4 对泛函势
, ]2 e" I$ A7 {* y 5.3.5 团簇势, o, T1 z9 M9 e& ^" V
5.3.6 团簇泛函势
2 o! Y; e; C$ g! u 5.3.7 分子间模型势: Z0 ^, ^1 a t. b5 R
第6章 第一性原理分子动力学方法5 E# a' O8 A( L
6.1 引言
# |- N7 j4 K5 X8 Z! l6.2 多电子体系的电子态
6 g+ E0 A' \% j# _- r% Z& p& ~, l# ? 6.2.1 全同多粒子体系量子力学
) J! t4 j9 _. | 6.2.2 HartreeFock近似' P) f% m7 {/ i$ j
6.2.3 密度泛函理论# l5 \9 e8 Y; E' E" W0 d7 s m
6.2.4 能带计算' s; _7 p: z; b& {$ q7 J
6.3 多原子体系动力学
; M/ o, d, j8 f 6.3.1 CarParrinello方法
6 ?5 ^0 j( S* h7 x. w 6.3.2 展开基系的选择
* A2 ^! Y* T6 S! q6.4 应用举例" t6 ]2 k2 }5 l
第7章 陶瓷材料设计2 s1 B* ?9 ]( e" w; Z# h
7.1 陶瓷材料中有关设计的概念及方法论/ t8 T8 z# V+ C- [/ B* o
7.1.1 何谓材料设计
k3 P8 ]. {( U2 }: q U 7.1.2 材料设计的方法论, j: M b/ G3 X, I* }- r
7.1.3 特性设计及其方法问题
+ `! B: K1 Q' v7 p 7.1.4 考虑陶瓷结构的情况# a* f5 P" k; |/ o" T N( Y
7.1.5 组分是主要特性的情况
& n% U# j- [, V. J* ]2 n* B7.2 玻璃的材料设计" H# C# O J. q9 A: i, O
7.2.1 玻璃材料设计的数值计算法; B( Z( ^1 r) d; j9 ?/ D
7.2.2 玻璃的各种功能设计
* s" w2 d7 s* P- q: @2 a7.3 陶瓷材料的特性设计: y; L j6 d' W( r# Q9 a$ d* m
7.3.1 陶瓷材料设计的基本框架0 K6 u8 y" Y4 A
7.3.2 平衡晶相的预测
/ A# W+ c0 j- j0 J6 J; Z' w 7.3.3 复合氧化物陶瓷的物性预测2 t3 d0 w" i1 z( G( i/ i" ?
7.3.4 复合组织和复合原则简论: ~. ^* t w6 F. E, g
7.4 陶瓷材料合成方法的设计- }! P; F: F( I: H1 U
7.4.1 取向性烧结体的合成法设计
; b/ f% v- s' A: n2 k+ v, A 7.4.2 陶瓷微粒的外形设计) ]7 N' u a% E0 ~: t2 |. Q2 o
7.4.3 利用薄膜技术进行微结构的设计
8 ]% m y$ d: j# x" C7.5 小结
2 ?' `0 u# S& _6 p) m" g: W# Z e第8章 半导体材料设计( N8 e% ~+ O9 P( d% l' N
8.1 引言4 x. M/ A' Y) s( E
8.2 电子能带结构和半导体物性; b) ~# U( V( a3 B
8.2.1 晶体结构; d5 o7 p6 U# q. n0 N) [7 L6 ~- H1 V
8.2.2 电子能带结构
; {( L3 Y; E H* Q" c 8.2.3 电子能带结构和物性
( S1 {! T2 g6 Y8 Z" j$ ^8.3 电子能带结构的修正$ g: R3 r9 U" [
8.3.1 混晶化法
# `2 s0 ]8 \4 o' m0 W* Z 8.3.2 异质结结构2 O4 F, N5 z6 W- q
8.3.3 超晶格
8 ]* t$ M6 ?1 z8 w! k 8.3.4 应力及形变效应
$ \- T' F& t( T8.4 器件与材料设计! k- }8 I7 Z4 R. m& N5 E( v
8.4.1 电子器件+ x' S' ^/ ^( Q3 ~2 H
8.4.2 光器件
0 N, G, K& U- [* [8 ?8.5 小结
0 l" D9 Q0 K& X第9章 材料强度与断裂的模拟( _" n, [' x# S; j, ]
9.1 材料强度的模拟) ]) M6 D X, `3 B1 e
9.1.1 位错芯结构
. [* A/ A+ S( r& y9 h9 a3 h; l2 [ 9.1.2 粒界结构和强度
& Z. H. d! r7 ?8 U* K+ Z6 ?! o9.2 弹性各向异性和断裂强度
" D" p9 \9 `/ E+ g R+ [* ~9.3 晶体结构与机械性质
/ O) \! [7 B1 }9.4 新物质机械性质的预测
- f# Z3 J" ]( u+ z+ a9.5 断裂的模拟计算
! @5 S( a( u3 x2 q 9.5.1 晶格格林函数法(Lattice Green Function Method，简写为LGF法)
! ]( X$ c& Z! C# ^9 Z* u2 ` 9.5.2 裂纹的结构
! Y" D7 n1 Q) c3 P! V+ q 9.5.3 裂纹扩展的元过程( @ i/ y" E) s9 w0 j
9.5.4 位错发射# @0 \& a0 @2 A; n3 n; C
附录% U7 B: [- X3 D& k7 L; ~, ^
第10章 物性预测与新材料设计4 f2 w6 ?. h1 Q( Z5 N! o" E# H# F' o
10.1 合金的晶格常数和生成能
) _7 P) d" T2 z0 O 10.1.1 纯金属体系
4 O/ z% f1 g( u+ v9 P0 b 10.1.2 二元合金系2 M0 {9 r' t8 g8 i
10.2 关于半导体和离子晶体的结构预测3 U* B. n" x" [
10.2.1 半经验的电子论方法* Y- l" n K, I# }
10.2.2 马德隆(Madelung)能量的计算
, a, `. u' O" f# p8 r8 q. |$ M O10.3 多层膜及人工超晶格# s* I7 ?0 L6 b# r. ^# l' j
10.4 碳原子团簇和新物质
! a' y' v4 `" w" A% D Q10.5 高压下形成的新物质(同质异形SiO2)
! L; \* K3 `3 _10.6 表面新物质层
/ L, U% K8 [* d' f10.7 平衡状态的计算与预测
4 J6 f L" T9 d9 N Y10.8 ConnollyWilliams方法(CWM)
1 U$ V& s* A. D4 n10.9 集团变分法(CVM)的程序说明) ~4 a6 K! {/ G# n% _8 |( g
附录
0 n; R" Q; k/ Q; k' T主要参考文献 |
评分
-
查看全部评分
|
[复制链接]
发表于 2009-9-23 07:07:47
楼主