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《晶体硅太阳电池铝背场的研究》* o8 L. |/ F( _; r
PDF格式: f% X }: L7 t/ s* D! a% \9 `
彭银生 刘祖明 陈庭金
, n2 z2 k& b9 {' h# V' D* f9 B（云南师范大学太阳能研究所）
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& L" E3 |4 `0 d: A; ~$ l# S& o4 P摘 要:
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" e/ h' q5 T! R8 c- M+ G! y文章比较了两种不同铝浆在相同的烧结条件下，得出两种不同铝浆的烧结情况，通过电镜扫描分析了两种铝浆所含杂质元素及铝浆剖面情况，得出烧结平整性较好，颗粒较小与硅片接触较好以及不含其它杂质复合中心的铝背场，其电池的开路电压和长波光谱响应要好。该部分研究对工业化生产具有较大的参考价值。% `* h- W7 }5 F8 z" A/ w; t
关键词:" {+ P* O' H v. ]
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 铝背场 光谱响应 开路电压. h" ^/ D; r/ G* T% H( r$ o
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[ 本帖最后由 新洁电子 于 2007-10-31 08:57 编辑 ] |
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发表于 2007-10-30 20:25:56
