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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴
9 e0 C5 Z: K6 ]0 B" I+ s1 U(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)$ w ]# o2 M7 M6 V O, [/ `
摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体
8 d6 P3 P1 ~4 H8 ?9 @9 J" W( I9 T硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间5 Y& `% n' D* F0 R9 P
和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化9 A8 d ]% O# u y V
度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
2 c. f* Q# e6 R. T! I" E/ {1 V4 j的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.: C4 f2 x, s0 u1 z9 L+ o
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)
$ E+ W7 K; ~, T* _/ R p0 c/ b+ ]% KPACC: 7340L ; 7360F ; 8115H- X4 H! @- h# H) @" {( ]9 E
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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