|
|
发表于 2007-9-6 23:01:28
|
显示全部楼层
来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴1 T& l9 j, k* ^2 ~8 @0 _
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)
& W* G7 I5 b! G# Z+ i3 R( J摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体
$ y3 i- l9 d+ x* k& W( a5 Z硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间1 Z/ _* g% @/ i* g/ D1 [7 W
和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化0 i- {1 q" @6 U) X! d X
度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %! {, t' O* v/ e6 ?+ ?" c2 N" @! b
的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.7 T4 w0 N/ H; l- J# M% Y( m
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD): _! }7 V' b) q. b1 ~
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H! U% Y' | K( L8 R: H2 @- h7 }( N: ~
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
评分
-
查看全部评分
|
