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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴4 R& U% N) ` h/ ^$ }
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)# {6 }6 n2 {% J' h
摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体! J7 \( g% w" K
硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间) j! m, S1 t: |( p# q; Q1 c6 ]
和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化1 U9 G* f' j$ o9 t: K
度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
- F' n1 o# e3 t7 _! g的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.
5 {; W3 Y4 J6 \* G1 @关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)
/ }" W5 z: c6 ]& j% h6 q% V& aPACC: 7340L ; 7360F ; 8115H: J/ s; A4 v) G8 L) `2 ^
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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