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[分享] DDR知识—新手扫盲贴

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发表于 2010-8-7 10:07:44 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国浙江台州

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最近看到朋友对DDR1和DDR2有使用困扰,想来写个帖子,和大家交流下,欢迎大家拍砖。
3 H: Q% I+ g: n5 Q3 m其实内存部份,在早前还有SDRAM,目前基本上已淘汰,就不再阐述了
3 \0 J( x  x4 x* j% g4 N下面来简单介绍下DDR1、2、3(先上图) 6 o7 K3 I* d' b7 ^
至于一些其它的相关知识,网上都可以找到,就不另外说明了 + u# {- @9 w1 M( p1 V8 `

" r& E- ^' e. D0 e 156_200695_60fd636a2b77064.jpg
+ c* W% k" D9 J; Q
" z6 J* P! e, Z8 [( R3 B6 G! H3 |1、内存外观上判断:
3 k6 Q7 F6 W9 C% z& N% E5 _5 JDDR1和2和3,在PIN 金手指数不同 ( A4 L9 t0 g; K* G6 ^
DDR1和2和3,在开口位置不同
: f) Y) U' j9 u8 h) U- R
9 S% S. D* C9 \" ^. \- K2 y2、内存供电电压上看: 4 J8 l! m- L0 E
DDR1 Vcc 2.5V
1 O3 Y0 M- g- O3 @" t3 @3 ^1 [* }$ |DDR2 Vcc 1.8V (1.8~2.5V 随频率不同 电压有相应增加)
& p! P+ i  }& t% U- zDDR3 Vcc 1.5V (1.5~2.0V 随频率不同 电压有相应增加)
! [& g/ p, {8 o: T$ `- o; l% u. B' e0 e9 ?) M( L' ?1 g( a
3、内存与北桥chipset的搭配:
$ M: F* D. o# s+ e因为现在只有在少量的很老的主板上有看到DDR1,市面上基本上都是DDR2和DDR3,所以再购买的时候,只要知道在那些北桥开始支持DDR3就可以了
0 Z5 r& j* `: a! h主要了解Intel和AMD(ATI)就可以了 ; @2 k+ z/ G3 c4 l

+ _4 ?9 F/ m6 r) ^ 156_200695_b2559a0046da70f.jpg
: v7 S- P6 w; l5 Z, ~7 t0 _' |7 C( k" t3 x: J$ K1 }0 ?- E
4、内存与CPU的搭配
- Z/ I- P8 F/ m7 j8 @! zIntel:
* Y- g8 s  _1 JLGA775  E2160 酷睿以上的开始支持DDR3/DDR2 ) A/ D- G0 A# q% F& h! l
LGA1156 仅支持DDR3
; X1 w, ]& G" W5 M- {9 CLGA1366 仅支持DDR3 0 }' J( G% J9 X( {  x! Y
AMD: 2 H9 c2 f% H/ P# B, _0 _; Q
AM3:同时支持DD2和DDR3 % H+ n5 z, I) I. V
AM2/AM2+:只支持DDR2
- S! [1 H$ d% F8 E1 N+ [, `! t  G4 F' c2 O* m; V, H  C
5、内存,从机种名上看 7 ]% [( R: x: {& l
一般从机种名就可以看出使用什么芯片,就可以知道是什么CPU以及什么DDR % ^, e9 [4 H: E
不同的主板厂商命名规则不一样,以Gigabyte举例: 1 t3 x. l& _4 L- h7 b/ J$ ^
GA-P35C-DS3R
0 t1 N) F7 ~/ ], G" ^P35+ICH9R CPU:Intel LGA775 DDR:同时支持DDR2和DDR3 (中间有带C的) , k0 @0 B0 l3 D" d+ i6 H
GA-785GMT-USB3
! l6 W& f" Z& A& \% s( cAMD 785G+SB710 CPU:AM3 DDR:只支持DDR3 (中间有带T的)
) h. T) t- ?5 w/ _# a" ZGA-P55A-UD4
& P# `) {3 y! @4 sP55 CPU:LGA 1156 DDR:只支持DDR3 ; ?# l, ?* |7 D  {8 L# C
当然还有很多
5 j# I; t' V: D% G* x# f% R# \! W; N0 P! R1 n2 ~& I2 ^
6、DDR的一些主要参数 # l* K# G! E0 ]
其实内存除了不同的厂商和不同的颗粒以外,影响到其性能的主要参数如下:
0 I0 m" u2 h; L1 e有兴趣的同学可以在网上参阅下:
& D% v0 i( s+ g0 \具体到超频高手,在memory上针对下列参数的调节和电压的调节是有很大的讲究的   w4 ^% ^! \9 q& f& B+ H) Z- {+ B
(tRP) - Minimum Row Precharge Time
' {- k3 J2 ?) L) o9 J(tRRD) - Minimum Row Active to Row Active Delay # U+ S  z  s0 {# R/ ?9 `% T# k
(tRCD) - Minimum RAS to CAS Delay # @$ B; d+ m, x* i' K
(tWR) - Write Recovery Time 1 F, L& i( K* J$ P1 K* B. ^. d
(tWTR) - Internal write to read command delay
8 q) D9 ^8 B1 \' c: ](tRTP) - Internal read to precharge command delay
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